资料介绍
**NTB75N03-06T4G-VB**
**丝印：** VBL1303
**品牌：** VBsemi
**参数：** TO263；N—Channel沟道, 30V；170A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V；Vth=1.7V
**封装：** TO263
**详细参数说明：**
- **沟道类型：** N—Channel
- **最大承受电压：** 30V
- **最大电流：** 170A
- **导通电阻：** 3mΩ（在VGS=10V时），3mΩ（在VGS=20V时）
- **阈值电压：** 1.7V
**应用简介：**
该器件为 N—Channel 沟道的 MOSFET，适用于需要控制正向电流的高功率模块。可用于功率放大、电源开关和电流调节等高电流应用。
**作用：**
- 控制正向电流，适用于高功率模块。
- 在功率放大和电源开关电路中发挥关键作用。
**使用领域模块：**
1. **功率放大模块：** 用于构建高功率的放大电路，适用于音频放大器等应用。
2. **电源开关模块：** 在需要高电流开关的电源系统中使用，确保可靠的电源开关。
3. **电流调节模块：** 用于高电流应用，确保系统正常运行。
**使用注意事项：**
1. **电压和电流限制：** 不要超过规定的最大电压和电流。
2. **温度控制：** 注意器件工作时的温度，避免过热。
3. **适当的散热：** 对于高功率应用，确保提供足够的散热。
如有需要进一步了解或有其他问题，请告诉我。
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