资料介绍
化硅（SiC）MOSFET作为第三代半导体核心器件，在电动汽车和新能源领域掀起技术革命。其核心优势源于碳化硅材料的宽禁带特性（3.26eV），相比传统硅基器件具有3倍的热导率和10倍的击穿场强。这使器件可在200℃以上高温稳定工作，同时实现1200V级高耐压与高频开关特性。
在电动汽车三电系统中，碳化硅MOSFET的开关损耗仅为IGBT的1/5，显著提升电能转换效率。特别是800V高压平台普及背景下，碳化硅器件已成为车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和牵引逆变器的关键技术选项。据Yole预测，2025年全球车用碳化硅市场规模将突破30亿美元。
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