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【IRF7389TRPBF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

资料介绍
**IRF7389TRPBF-VB 详细参数说明:**

- **品牌:** VBsemi
- **丝印:** VBA5325
- **封装:** SOP8
- **参数:**
- N+P—Channel沟道
- 额定电压:±30V
- 最大电流:9A(N-Channel)/-6A(P-Channel)
- RDS(ON):15mΩ @ VGS=10V, VGS=20V(N-Channel);42mΩ @ VGS=10V, VGS=20V(P-Channel)
- 阈值电压(Vth):±1.65V

**应用简介:**

IRF7389TRPBF-VB是一款SOP8封装的N+P—Channel沟道场效应晶体管,适用于中等电流和中等电压的功率开关和放大应用。

**领域模块及作用:**

1. **电源开关:** 用于中等电流电源模块的功率开关,提供可靠的电源开关解决方案。

2. **电机控制:** 适用于电机驱动,例如小型电动机的控制,可用于家用电器和工业应用。

3. **电流控制:** 在需要电流控制的应用中发挥作用,如LED驱动和电池管理系统。

**使用注意事项:**

1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的最大电压和电流,以防止器件损坏。

2. **温度控制:** 在操作过程中保持适当的温度,避免过热。

3. **静电防护:** 在处理和安装时采取防静电措施,以防止静电损害。

4. **阈值电压:** 根据具体应用确保正确的阈值电压,以确保器件在正常工作范围内。

以上信息仅供参考,具体应用需根据实际情况调整。
【IRF7389TRPBF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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