首页|嵌入式系统|显示技术|模拟IC/电源|元件与制造|其他IC/制程|消费类电子|无线/通信|汽车电子|工业控制|医疗电子|测试测量
首页 > 分享下载 > 消费类电子 > 【AOD4185-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

【AOD4185-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

资料介绍
型号:AOD4185-VB
丝印:VBE2412
品牌:VBsemi

**参数:**
- 封装:TO252
- 沟道类型:P—Channel
- 最大电压:-40V
- 最大电流:-65A
- 开启电阻(RDS(ON)):10mΩ @ VGS=10V, 10mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1.6V

**应用简介:**
AOD4185-VB是一款TO252封装的P—Channel沟道MOSFET,具有适用于多种应用场景的特性。以下是它可能用在的一些领域模块:

1. **电源模块:** 由于AOD4185-VB的高电流和电压能力,适用于电源开关模块,提供可靠的电源输出。

2. **电池保护:** 在充电和放电控制中,可用于电池保护电路,防止电池过放电和过充电。

3. **电机驱动:** 用于电机控制模块,例如电动汽车、电动工具等,提供可靠的电机驱动。

4. **电源开关和逆变器:** 适用于构建各种电源开关和逆变器,用于电能的高效转换。

5. **工业电子:** 在工业电子设备中,可以用于开关电源、电机控制等模块。

请注意,在使用这种器件时,确保参考其数据手册以获取详细的电性能和工作条件。不同的应用领域可能需要特定的设计和电路配置。
标签:AOD4185mosfetvbsemi
【AOD4185-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
本地下载

评论