面向BTI特征分析的在运行中阈值电压测量

传统CMOS工艺缩放技术的发展正逐渐逼近极限，迫切需要采用新材料和新器件设计
A G R E A T E R M E A S U R E O F C O N F I D E N C E




最小。间歇式测量通过只用三项测量
来减少“无应力（off-stress）”时
面向BTI特征分析的在 间，如图1所示。几乎所有的参数测
量系统都支持这种技术。但是，大多

运行中阈值电压测量 数GPIB控制的仪器都缺乏灵活性，并
且受限于GPIB通信时间和仪器的内部
速度。因此，器件在测量过程中仍会