半导体C-V测量基础

电容-电压（C-V）测试广泛用
于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和
MOSFET结构
A G R E A T E R M E A S U R E O F C O N F I D E N C E




一极，二氧化硅是绝缘层。由于绝缘
层下面的衬底是一种半导体材料，因
此它本身并不是电容的另一极。实际
上，其中的多数载流子是电容的另一
极。物理上而言，电容C可以通过下
半导体C-V测量基础 列公式中的变量计算出来：
C = A (κ/d), 其中