控制双向开关的变压器驱动IC

控制双向开关的变压器驱动IC
控制双向开关的变压器驱动 IC




控制双向开关的变压器驱动 IC
杨永华译
图一所示电路为一简单的将 Vsupply 与负载接通的开关控制电路，Vsupply 可以是正电
压、负电压或交流电压。输入电压的幅值只受到 MOSFET 的 Vds 的最大额定值的限制,图中所示
MOSFET Q1、Q2 的 VDS 极限值为 50V。
变压器的初级绕组和驱动 IC 的工作电压是 5V，它们在变压器的次级绕组产生一个隔离的
交变电压，由 D1 和 D2 整流产生一个供 N 沟道 MOSFET 使用的 10 伏的 VGS 电压。这样产生的 VGS
是一个恒定的隔离电压，
不会受到 VDS 对地电压的变化的影响。
由于负的 VGS 电压加在单个 MOSFET
上仍会有电流流过关断状态下的 MOSFET（由于内部寄生二极管处于正偏状态所引起）。故采用
两个 MOSFET 源极与源极对接，这样它们的内部寄生二极管反向对接，在任何情况下都不会有
电流流过。
关闭 IC 后，MOSFET 的 VGS 为 0V，开关断开（SD=5V、开关断开，SD=0V、开关闭合）。开关
的速度取决于 R1 的大小：R1 值小可以降低开关延时，但相应功耗较大（R1=1K 时，负载电流
为 24 毫安）。若开关速度不是很关键，可以选取较大的 R1 值将功耗电流