利用MCP4728 12位DAC 设计LDMOS 放大器偏置电压控制应用

LDMOS 晶体管为CMOS 器件，用于高频和高功率的应
用。 这些器件广泛应用于RF 功率放大器应用，例如
GSM和CDMA 移动电话基站、雷达、CATV 和便携式无
线设备。 这些器件在工作时由于热载流子注射效应而在
漏-栅区域聚集电荷，导致在施加固定栅极偏置电压
（V
GS
）时，其静态电流（I
DQ
）会随温度变化而产生显
著漂移
AN1326
利用 MCP4728 12 位 DAC
设计 LDMOS 放大器偏置电压控制应用
IDQ 随栅极偏置电压和温度变化而成比例变化。
作者： Youbok Lee, Ph.D.
Microchip Technology Inc. 为保持具有最大输出功率同时具有良好的线性度，需要
在整个工作温度范围内保持 IDQ 处于恒定值。为达到此
目标，栅极偏置电压需要在工作时进行调整，以补偿温
度变化产生的影响。
简介
对于基站功放模块 （power amplifier module， PAM）
LDMOS 晶体管为 CMOS 器件， 用于高频和高功率的应