特点

特点
●引用Serial ATA Revision 2.6 Specification。支持 SATA Gen.1 1 是指在SLC时的速度。取决于您所使用的闪存。
（1.5Gbps），Gen. 2 （3.0Gbps）。 2 根据程序包的不同，可连接信道数以及可实现容量也有所不同。

TQFP120为2信道交织连接，可进行8CE连接，实现最大容量64GByte ；
实现了Read 170MByte/sec，Write 70MByte/sec。1 VFBGA144为4信道交织连接，可进行16CE连接，实现最大容量128GB。

●支持2Kbyte/page ，4KByte/page 和最新8KByte/page 结构的 （MLC NAND的）。
NAND型闪存。SLC可控制128MByte至64GByte ，MLC则可控制 3 关于您所使用的闪存，请事先向本公司确认。
4 静态负载平衡的设置区域以外实施动态负荷平衡控制。
256MByte至128GByte。2 5 AES128bit
支持主要闪存销售商提供的60nm～20nm工艺闪存。3 Advanced Encryption Standard ；是按照美国商务部联邦信息处理标准
●装备了TDK独有的静态负载平衡功能。因可计算整个内存区域（区 FIPS PUB197被标准化的高度的区块加密方式。

块）的重写（擦除）次数，并均等地置换区块，能够大幅度延长
存储寿命。还可自由设置静态负载平衡的控制范围。4

●搭载有数据随机生成功能。写入数据时，写入数据随机化，消除
数据模式的偏斜，从而提高了MLC闪存数据的可靠性。
●搭载有读取恢复功能。定期读取闪存中的数据，检测Bit错误，根
据需要进行纠错，防止因阅读干扰错误，数据保存错误所致的数
据消失。因在后台进行处理，即使在纠错过程中，也几乎不会产
生命令响应迟缓。
●装备了8bit ，15bit/sector （512Byte）及30bit ，44bit （1024Byte）
的纠错能力（通过识别所使用的闪存，自动选择纠错数或纠错）。
●采取TDK独有的闪存控制系统，是提高了系统电源遮断性的设计，
可完全阻止连带数据错误。
●由于可以取得所有内存区块的重写（擦除）次数作为SMART信息，
因此可进行量化的寿命评估。
●装配有数据区域扇区总数设置功能。分配给数据领域的物理块数
量可按1扇区为单元进行增减。因CHS参数也可任意设置，所以系
统导入简单易行。
●搭载有AES128bit加密功能。5

因可将数据加密后进行记录，所以可以防止个人信息和机密信息
的篡改，泄漏，实现了高度的数据安全性。
●支持引用了ATA标准的保护功能。除TDK独有的写保护/读保护功
能外，客户还可自行设置或解除密码。
●RoHS指令对应。从构成部品零件材料，引导端子等到EU （欧盟）
RoHS指令所禁止使用的有害物质，被完全排除在外。

●RoHS 指令的对应：表示除了依据EU Directive 2002/95/EC 免除的用途之外，未使用铅，镉，汞，六价铬及特定溴系难燃剂PBB，PBDE 等。
(1/3)




支持串行 ATA 3Gbps 的 RoHS 指令对应产品

NAND 型闪存控制器 IC GBDriver RS3 系列
支持最新 8KB/Page 闪存的接口型　高速 SATA 控制器 IC 搭载数据随机生成器及读取恢复机能的

广泛用于智能手机（Andoroid 手机）/ 智能 TV/ Blu-ray Disc
（蓝光盘）搭载设备 /SATA 闪存模块
TDK GBDriver RS3 是一款实现了有效速度为 170MByte/sec 的高速存取，支持串行 ATA Gen2: 3.0Gbps 的高速 SSD 卡控制器 IC。支持 2KByte/
page 以及 4KByte/page 和最新的 8KByte/Page 结构的 SLC （双值 NAND）， MLC （多值 NAND），只需 1 片即可创建 128MByte ～ 128GByte 容
量的高速 SATA 存储器。最新的闪存控制中，搭载有必不可少的数据随机生成器机能和自动恢复机能的同时，还装备有 44bit ECC 的强大纠
错能力，加上 TDK GBDriver 系列通用功能的自动修复功能 （阅读干扰错误自动修复功能）及电源遮