资料介绍
模拟电路
IR推出150V和200V MOSFET 具有极低的闸电荷
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V
HEXFET功率MOSFET，为开关模式电源（SMPS） 、不断电系统
（UPS）、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 （Qg）。
与其它竞争器件相比，IR 150V MOSFET提供的总闸电荷降低了高达59%。至于新款200V
MOSFET的闸电荷，则比竞争器件的降低了多达33%。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“随着DC-
DC功率转换应用技术的日益进步，开关频率也有所提高，输入电容和闸电荷在整体效率
方面担当起重要的角色。开关损耗的多少对快速开关电路来说是关键的问题。IR新推出
的150V和200V
MOSFET正好针对这个挑战做出了优化，所以非常适合作为通信应用中隔离式DC-
DC转换器的主要开关，或者在任何先进的DC-DC应用中推动轻负载效率。”
这些新款MOSFET达到工业级别及第一级湿度感应度 （MSL1）
。它们采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封装，皆为无铅设计，并符合电子产品有
害物质管制规定 （RoHS） 指令。
产品的基本规格：
器件编号 封装 电压 （V） Id （A） 最大RDS（on） （mOhms） Qg （nC）
IRFB4615PBF TO220 150 3
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