N阱多晶硅栅CMOS集成电路版图设计规则

N阱多晶硅栅CMOS集成电路版图设计规则
《微电子学导论》补充材料


N 阱多晶硅栅 CMOS 集成电路版图设计规则


M1 N阱 最小 N 阱宽度 4λ
M1 N阱 最小 N 阱间距 8λ

M2 有源区 最小有源区宽度 4λ
M2 有源区 最小有源区间距 4λ
M2 有源区 N 阱对阱内有源区最小覆盖 3λ
M2 有源区 N 阱对阱外有源区最小间距 6λ

M3 多晶硅 最小多晶硅栅宽度 2λ
M3 多晶硅 最小多晶硅栅间距 2λ
M3 多晶硅 多晶硅栅在场区的最小出头 2λ
M3 多晶硅 多