资料介绍
氧化工艺 §1 热氧化工艺 一、性质及用途
(一).五种用途
一、性质及用途 （？种） 杂质扩散掩蔽膜a
二、氧化原理 器件表面保护或钝化膜b
电路隔离介质或绝缘介质c （SRO
三.、氧化方法（？种） －应力释放氧化）
四、 质量监测（？） 电容介质材料d
MOS管的绝缘栅材料e
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(二)二氧化硅膜的性质 2. 二氧化硅膜的掩蔽性质
1.二氧化硅膜的化学稳定性极高，不 B、P、As等杂质在SiO2的扩散系数
溶于水，除氢氟酸外，和别的酸不 远小于在Si中的扩散系数。
起作用。氢氟酸腐蚀原理如下： Dsi > DSiO2
SiO 2 + 4 HF → SiF 4 ↑
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