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意法半导体 STL220N6F7功率MOSFET

资料介绍
STL220N6F7采用的STripFET F7技术，本质上是一场针对半导体物理的深度革命。其增强型沟槽栅结构通过三维立体设计，将电流路径从传统的横向流动改为垂直导通，如同在城市中建设立体交通网络般大幅提升载流效率。
标签：意法半导体，功率器件，IGBT
意法半导体 STL220N6F7功率MOSFET
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