资料介绍
MIC5019是一款集成了充电泵的高侧MOSFET门驱动器，设计用于在高侧或低侧应用中切换N沟道增强型MOSFET控制信号。
MIC5019的工作电压范围为2.7 V至9 V，可以从3 V电源产生9.2 V的门电压，以及从9 V电源产生16 V的门电压。该器件在正常工作模式下消耗的供电电流低至77 µA，而在关闭模式下则少于1 µA。
在高侧配置中，MOSFET的源极电压在切换时接近供电电压。为了保持MOSFET的导通状态，MIC5019的输出会驱动MOSFET的门电压高于供电电压。
MIC5019提供超小型4引脚1.2 x 1.2 mm薄型QFN封装，并且适用于-40°C至+125°C的结温范围。
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