资料介绍
型号: NTD5865NLT4G&15-VB
丝印: VBE1615
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: N—Channel
- 额定电压: 60V
- 额定电流: 60A
- 导通电阻 (RDS(ON)): 9mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): 1.87V
- 封装: TO252
应用简介:
VBsemi的NTD5865NLT4G&15-VB是一款高性能N—Channel沟道场效应晶体管，具有高额定电流和低导通电阻的特点。适用于高功率、高频率的应用场景，广泛应用于各种电源系统和功率模块。
**主要特点:**
1. 高额定电流，适用于大功率应用。
2. 低导通电阻，提供高效率的电源控制性能。
3. 宽工作电压范围，适用于多种电源系统。
**应用领域和模块:**
1. **电源开关模块：** 用于构建高性能电源开关模块，可应用于服务器电源、工控电源等领域。
2. **直流-直流转换器：** 在直流转换器中，提供高效率的功率转换，适用于电动车充电器、电源逆变器等场景。
3. **电机驱动和控制系统：** 用于电机驱动模块，适用于工业自动化、电动工具等领域。
4. **高功率电源逆变器：** 适用于太阳能逆变器、UPS电源等高功率逆变器应用。
**使用注意事项:**
1. 在设计中请确保正确连接器件，避免反接和过载情况，以防损坏器件。
2. 请按照数据手册提供的最大额定值使用电压和电流，以确保稳定可靠的性能。
3. 注意适当的散热措施，以维持器件在工作过程中的合适温度。
4. 确保器件操作在规定的环境条件下，避免超过温度和电压的极限值。
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