【BSS123Q-7-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

型号: BSS123Q-7-VB
丝印: VB1106K
品牌: VBsemi
封装: SOT23
沟道类型: N—Channel
最大电压(VDS): 100V
最大电流(ID): 0.17A
导通电阻(RDS(ON)): 2800mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
门极阈值电压(Vth): 1.28V

**详细参数说明:**
1. **沟道类型:** N—Channel，表示这是一种N沟道MOSFET。
2. **最大电压(VDS):** 100V，指示器件可以承受的最大漏极-源极电压。
3. **最大电流(ID):** 0.17A，表明器件可以承受的最大漏极电流。
4. **导通电阻(RDS(ON)):** 2800mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，这是在不同门极电压下的导通状态时的漏极-源极电阻。
5. **门极阈值电压(Vth):** 1.28V，是使器件进入导通状态所需的最小门极电压。

**应用简介:**
BSS123Q-7-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），通常用于低功耗、小信号放大和开关电源应用。由于其小尺寸和低功耗，适用于要求紧凑、轻量和低功耗的电子设备。

**应用领域:**
1. **信号开关:** 用于小信号开关，例如在音频放大器中的信号切换。
2. **低功耗电子设备:** 适用于便携式电子设备，如手机、平板电脑，以实现低功耗操作。
3. **电源开关:** 在低功耗的开关电源中使用，例如小型电池供电的设备。
4. **模拟电路:** 用于模拟电路中的信号调节和开关功能。

**使用注意事项:**
1. **最大额定值:** 不要超过器件规格中指定的最大电流和电压值。
2. **静电防护:** 在处理和安装器件时，请采取静电防护措施，以防止静电放电对器件造成损害。
3. **应用电路设计:** 在设计电路时，请参考厂家提供的数据手册和应用笔记，确保正确的电源和控制电路。

请注意，以上信息是基于提供的参数和一般经验提供的一般性建议。在实际应用中，请始终参考厂家提供的具体数据手册和应用指南。