首页|嵌入式系统|显示技术|模拟IC/电源|元件与制造|其他IC/制程|消费类电子|无线/通信|汽车电子|工业控制|医疗电子|测试测量
首页 > 分享下载 > 消费类电子 > 【IRF9310TRPBF&5-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

【IRF9310TRPBF&5-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

资料介绍
VBsemi IRF9310TRPBF&5 P—Channel MOSFET 参数:
- 封装:SOP8
- 沟道类型:P—Channel
- 最大电压:-30V
- 最大电流:-15A
- RDS(ON):5mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:-1.7V

应用简介:
该 P—Channel MOSFET 适用于需要 P—Channel 沟道的应用,通常用于功率开关和电源管理电路。其低导通电阻和高开关速度使其在高频开关电源中表现出色。

使用领域模块:
1. 电源开关:用于需要 P—Channel 沟道的高效能功率开关设计。
2. DC-DC 变换器:在电源管理电路中实现高效的 DC-DC 变换。
3. 电池保护电路:适用于电池管理系统中的过电流保护。

作用:
1. 提供 P—Channel 沟道,适用于不同极性的功率开关设计。
2. 适用于高频开关电源,提供高效的电源管理。
3. 在电池管理系统中实现过电流保护功能。

使用注意事项:
1. 请按照数据手册提供的最大额定值操作,以避免损坏设备。
2. 在设计中考虑适当的散热措施,以确保器件在额定工作温度下稳定运行。
3. 避免超过最大额定电流和电压,以防止设备过载。
4. 在使用过程中,注意静电防护,避免损坏敏感元件。
【IRF9310TRPBF&5-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
本地下载

评论