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【2SJ197-VB】P沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

资料介绍
**2SJ197-VB 产品参数:**
- 丝印: VBI2658
- 品牌: VBsemi
- 封装: SOT89-3
- 类型: P—Channel 沟道
- 额定电压: -60V
- 额定电流: -5A
- 静态导通电阻: RDS(ON) = 58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1~3V

**应用简介:**
适用于中低电压、中低电流的功率开关应用,特别是在需要 P—Channel MOSFET 的场合,用于电源开关、电源逆变和小功率电机控制。

**领域模块及作用:**
1. **小功率电源开关模块:** 用于小功率开关电源,如便携式设备充电器。
2. **电源逆变模块:** 适用于逆变器,将直流电源转换为交流电源。
3. **小功率电机控制模块:** 控制小功率电机运行,适用于小型电子设备。
4. **传感器接口模块:** 用于传感器信号处理,适用于各种传感器接口电路。

**使用注意事项:**
1. 确保按照规格书正确连接引脚,以确保器件正常工作。
2. 在设计中考虑散热需求,以确保器件在正常温度范围内。
3. 避免电压和电流超过器件的最大额定值。
4. 注意防止器件过载,以避免损坏。
标签:2SJ197mosfetvbsemi
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