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【DMG4800LSD-13-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

资料介绍
**详细参数说明:**
- 型号:DMG4800LSD-13-VB
- 丝印:VBA3310
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOP8
- 类型:2个N-Channel沟道
- 额定电压:30V
- 额定电流:13.5A
- 导通电阻:10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:1~3V

**应用简介:**
这是一款集成了两个N-Channel沟道的功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于SOP8封装。其特点包括30V的额定电压,13.5A的额定电流,低导通电阻等,使其适用于多种功率电子应用。

**应用领域:**
该器件常用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域的模块。在这些模块中,它可以用于功率放大、开关控制等功能,提供高效的电能转换和控制。

**作用:**
- 在电源管理模块中,可用于开关电源的功率调节和控制。
- 在电机驱动模块中,可用于电机的驱动和控制。
- 在逆变器模块中,可用于直流到交流的电能转换。

**使用注意事项:**
- 严格按照数据手册提供的最大额定值操作,以防止器件损坏。
- 注意器件的静电敏感性,采取适当的防护措施。
- 在设计中考虑散热和温度管理,确保器件在正常工作温度范围内。
- 遵循适当的焊接和安装标准,以确保可靠的电气连接和机械强度。
【DMG4800LSD-13-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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