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【IRL2505S-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

资料介绍
**VBsemi IRL2505S-VB 产品详细参数说明:**

- **丝印标识:** VBL1606
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** TO263
- **通道类型:** N—Channel沟道
- **漏极-源极电压(VDS):** 60V
- **漏极-源极电流(ID):** 150A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 4mΩ @ VGS=10V, 4mΩ @ VGS=20V
- **阈值电压(Vth):** 3V

**应用简介:**

VBsemi IRL2505S-VB 是一款TO263封装的N—Channel沟道场效应晶体管(MOSFET),适用于高功率开关电源和电机驱动应用。

**主要应用领域和模块:**

1. **电源开关模块:** 适用于高功率直流-直流(DC-DC)变换器、电源开关控制等。

2. **电机驱动模块:** 可用于高功率电机驱动,提供高电流和低导通电阻的特性。

**作用:**

- 提供高功率开关控制功能。
- 用于高功率电机驱动模块,支持高效率和高功率应用。

**使用注意事项:**

1. **电压等级:** 在规定的电压范围内使用,不要超过产品标称的最大漏极-源极电压。

2. **电流负载:** 注意电流负载不要超过产品的额定电流。

3. **工作温度:** 在规定的工作温度范围内使用,避免超温操作。

以上信息仅为参考,实际使用时请仔细阅读产品手册和规格书,确保正确使用,并遵循厂商的建议和注意事项。
标签:IRL2505Smosfetvbsemi
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