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【1N60-TO251-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

资料介绍
**1N60-TO251-VB**

**丝印:** VBFB165R02
**品牌:** VBsemi
**参数:** TO251;N—Channel沟道, 650V;2A;RDS(ON)=4300mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=2V

**封装:** TO251

**详细参数说明:**
- **沟道类型:** N—Channel
- **最大承受电压:** 650V
- **最大电流:** 2A
- **导通电阻:** 4300mΩ(在VGS=10V时),4300mΩ(在VGS=20V时)
- **阈值电压:** 2V

**应用简介:**
该器件适用于需要 N 沟道功率开关和放大的模块,提供可靠的开关功能和信号放大。主要应用领域包括但不限于电源开关、放大器电路和电源逆变器。

**作用:**
- 提供可靠的 N 沟道功率开关功能。
- 用于信号放大和调节。

**使用领域模块:**
1. **电源开关模块:** 用于构建高压、高效的电源开关,稳定输出电压。
2. **放大器电路模块:** 适用于需要 N 沟道功率放大的电路,如音频放大器。
3. **电源逆变器模块:** 在逆变器电路中,用于控制高压开关,实现直流到交流的转换。

**使用注意事项:**
1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的最大电压和电流。
2. **极性注意:** 注意 N 沟道器件的正电压特性。
3. **静电防护:** 在处理和安装时采取防静电措施,以免损坏器件。

如有需要进一步了解或有其他问题,请告诉我。
标签:1N60-TO251mosfetvbsemi
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