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【RJE0605JPD-00-J3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

资料介绍
**VBsemi RJE0605JPD-00-J3-VB 详细参数说明:**

- **丝印:** VBE2658
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- **封装:** TO252
- **沟道类型:** P-Channel
- **最大电压:** -60V
- **最大电流:** -22A
- **导通电阻:** RDS(ON) = 48mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门源极阈值电压:** Vth=-1.5V

**应用简介:**
RJE0605JPD-00-J3-VB广泛应用于各种电子模块,特别是在以下领域模块中:

1. **电源模块:** 用于负载开关和调节电路,适用于中功率应用。

2. **电池管理:** 在便携设备和电池供电系统中,用于电池充放电管理。

3. **信号开关:** 作为信号开关器件,用于控制信号的连接和断开。

**作用:**
在这些模块上,RJE0605JPD-00-J3-VB发挥以下作用:

1. **中功率转换:** 适用于中功率应用,提供可靠的功率转换。

2. **电流控制:** 通过精准的电流控制,适用于需要小功率电流管理的应用。

3. **负载开关:** 在负载开关电路中,用于控制电源的连接和断开,实现能量转换。

**使用注意事项:**
- 需要确保工作电压和电流不超过规定的最大值。
- 在设计中考虑适当的散热措施,以确保器件正常工作温度。
- P-Channel MOSFET在导通状态下的电流是负值,需要根据应用情况正确连接。

以上简介仅供参考,具体应用需要根据实际设计和使用情况进行调整。
【RJE0605JPD-00-J3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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