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【FQP10N60CF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

资料介绍
**FQP10N60CF-VB 产品参数说明:**

- **品牌:** VBsemi
- **型号:** FQP10N60CF-VB
- **丝印:** VBM165R18
- **封装:** TO220
- **沟道类型:** N—Channel
- **工作电压:** 650V
- **最大电流:** 18A
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 430mΩ @ VGS=10V
- 430mΩ @ VGS=20V
- **阈值电压(Vth):** 3.5V

**应用简介:**

该器件适用于模块化电子系统,特别是在以下领域和模块中发挥作用:

1. **电源模块:** 可用于设计电源开关和调节模块,提供高效的电能转换。

2. **电机驱动模块:** 在电机控制和驱动系统中,可用于实现高性能的电机控制。

3. **逆变器模块:** 适用于逆变器系统,用于将直流电源转换为交流电源。

4. **照明模块:** 可用于设计高效的LED照明驱动电路。

**使用注意事项:**

- 在设计电路时,请遵循制造商提供的电气特性和应用建议。

- 确保在规定的工作电压和电流范围内使用,以防止器件损坏。

- 正确安装散热器以确保器件在长时间高功率工作时保持适当的工作温度。

- 避免静电放电,采取适当的防护措施,例如使用导电手环和防静电工作台。

- 详细的使用和安装说明应参考该产品的数据手册和技术规格。
标签:FQP10N60CFmosfetvbsemi
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