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【FDC6321C-VB】2个N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

资料介绍
**详细参数说明:**
- 产品型号: FDC6321C-VB
- 丝印: VB5222
- 品牌: VBsemi
- 封装: SOT23-6
- 沟道类型: 2个N+P—Channel
- 额定电压: ±20V
- 最大电流: 7A (N-Channel) / -4.5A (P-Channel)
- 开启电阻: RDS(ON) = 20mΩ (N-Channel) / 70mΩ (P-Channel) @ VGS=4.5V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 0.71V (N-Channel) / -0.81V (P-Channel)

**应用简介:**
该器件适用于需要N+P—Channel沟道的应用,具有双沟道设计,适合电流和电压要求较高的场合。主要应用于电源管理、电机驱动和功率放大器等领域。

**主要应用领域模块:**
1. 电源管理模块
2. 电机驱动模块
3. 功率放大器模块

**作用:**
- 电源管理模块:实现高效的电源开关控制,适用于双沟道应用。
- 电机驱动模块:同时控制电机的正向和反向运动,适用于双电源控制。
- 功率放大器模块:提供双沟道的功率放大,适用于立体声音频放大等应用。

**使用注意事项:**
1. 请确保在规定的电压范围内操作。
2. 避免超过最大电流限制。
3. 在设计中考虑散热,以确保器件正常工作温度。
4. 遵循厂商提供的应用电路设计建议。
5. 注意防静电措施,以防止损坏器件。
标签:FDC6321Cmosfetvbsemi
【FDC6321C-VB】2个N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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