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【S4I925DDY-T1-E3&19-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

资料介绍
**产品型号:** SI4925DDY-T1-E3&19-VB

**丝印:** VBA4317

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 封装:SOP8
- 沟道类型:2个P-Channel
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-8.5A
- 导通电阻:RDS(ON)=21mΩ @ VGS=10V, VGS=12V
- 阈值电压:Vth=-1.8V

**应用简介:**
适用于不同领域模块,发挥以下作用:
1. **电源逆变器:** 在逆变器模块中,作为P-Channel功率开关,支持电源逆变应用。
2. **电池管理:** 用于电池管理系统,实现有效的电池充放电控制。
3. **电流调节:** 在电流调节模块中,通过高电流和低导通电阻,实现精确的电流控制。

**使用注意事项:**
1. 请确保操作在规定的电压和电流范围内,避免超过额定数值。
2. SOP8封装需要考虑适当的散热和布局设计,以维持正常工作温度。
3. 考虑阈值电压Vth=-1.8V,在设计中保证适当的信号电平。
4. 根据具体应用场景选择适当的保护机制,以应对潜在的过电流和过压情况。
【S4I925DDY-T1-E3&19-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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