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【AP25N10GH-HF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

资料介绍
**产品型号:** AP25N10GH-HF-VB

**丝印:** VBE1104N

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 封装:TO252
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压:100V
- 额定电流:40A
- 导通电阻:RDS(ON)=30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=1.8V

**应用简介:**
适用于多个领域模块,具体作用包括:
1. **电源管理:** 在电源模块中,作为高电压N-Channel功率开关,支持电源管理系统。
2. **电机控制:** 在电机驱动模块中,通过高电流和低导通电阻,实现精确的电机控制。
3. **电流逆变器:** 用于构建电流逆变电路,适用于多种电力应用。

**使用注意事项:**
1. 请确保操作在额定电压和电流范围内,避免超过规定数值。
2. TO252封装需要考虑散热和布局设计,以保持正常工作温度。
3. 在设计中考虑阈值电压Vth=1.8V,确保适当的信号电平。
4. 根据具体应用场景采取适当的保护措施,以应对潜在的过电流和过压情况。
【AP25N10GH-HF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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