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【DMG2302U-7-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

资料介绍
**产品型号:** DMG2302U-7-VB
**丝印:** VB1240
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 封装: SOT23
- 类型: N—Channel沟道
- 额定电压: 20V
- 额定电流: 6A
- 开态电阻 (RDS(ON)): 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压 (Vth): 0.45~1V

**封装:** SOT23

**详细参数说明和应用简介:**
该器件是一款SOT23封装的N—Channel沟道场效应晶体管,适用于多种应用场景。主要参数包括低电压额定值、高电流额定值、低开态电阻,使其在不同电源和负载条件下具有良好的性能。

**应用领域:**
1. **电源开关模块:** 由于其低电压和高电流额定值,可用于电源开关模块中的开关电源和电压调节。
2. **电池保护模块:** 适用于移动设备和电池供电系统,提供对电池的可靠保护。
3. **LED驱动模块:** 在需要高效能LED驱动的场景中,可用于LED照明系统中的电流控制和开关。

**作用:**
- **电源开关模块:** 用于开关电源和电压调节,实现电源的高效能转换。
- **电池保护模块:** 提供对电池的可靠保护,防止过流和过压。
- **LED驱动模块:** 作为LED照明系统的一部分,确保LED的高效能驱动和亮度控制。

**使用注意事项:**
1. 请按照数据手册提供的最大额定值操作,以确保器件的可靠性和稳定性。
2. 在设计中考虑散热需求,特别是在高电流和高功率应用中。
3. 确保在阈值电压(Vth)以下的适当电压范围内使用,以确保正常工作。
4. 避免超过额定电压和电流,以免损坏器件。
标签:DMG2302U-7mosfetvbsemi
【DMG2302U-7-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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