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【IRFR130ATM-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

资料介绍
详细参数说明:
- 型号: IRFR130ATM-VB
- 丝印: VBE1101M
- 品牌: VBsemi
- 封装: TO252
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 100V
- 额定电流: 18A
- 导通电阻: RDS(ON) = 115mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.6V

应用简介:
IRFR130ATM-VB适用于多种高功率、高效率的开关电源和功率放大器应用。其高电流和低导通电阻特性使其在要求高性能的电源和放大器设计中表现出色。

使用领域及作用:
1. 开关电源模块:用于设计开关电源,包括直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)变换器,广泛应用于电源管理系统。
2. 电机控制模块:用于电机驱动电路,支持高功率和高效率的电机控制,适用于工业和汽车电动化领域。
3. 音频功率放大器:在音频放大器中使用,提供高效、低失真的音频输出,适用于音响系统和专业音频设备。
4. LED照明驱动:在LED照明系统中,用于实现高效的LED驱动和调光功能。

使用注意事项:
1. 严格遵循产品规格书中的电气参数和封装信息。
2. 在设计中考虑散热,确保器件工作在安全的温度范围内。
3. 注意输入和输出电压的匹配,防止超过器件的最大额定值。
4. 确保适当的电源和地连接,以确保正常工作和防止损坏。
5. 在使用过程中遵循相关的ESD(静电放电)防护措施,以防止损坏敏感器件。
标签:IRFR130ATMmosfetvbsemi
【IRFR130ATM-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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