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【UT70P03L-TN3-R-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

资料介绍
**详细参数说明:**
- **型号:** UT70P03L-TN3-R-VB
- **丝印:** VBE2309
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装类型: TO252
- 沟道类型: P—Channel
- 额定电压(VDS): -30V
- 额定电流(ID): -60A
- 导通电阻(RDS(ON)): 9mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1.71V

**应用简介:**
这产品通常用于功率电子领域,具体应用如下:

1. **电源模块:** 由于其高电流和低导通电阻,适用于电源开关模块,有助于提高功率转换效率。

2. **电机驱动:** 在电机控制模块中,可作为电流开关,用于实现电机的精确控制。

3. **电源管理:** 在各种电源管理模块中,通过控制沟道导通状态,实现对电路的精确调节和控制。

**使用注意事项:**
1. **封装类型:** 确保正确选择和处理TO252封装,以确保散热效果和焊接质量。

2. **电压和电流限制:** 不要超过额定的电压和电流参数,以防止器件损坏。

3. **散热设计:** 在高功率应用中,需要有效的散热设计,以确保器件工作在适当的温度范围内。

4. **静电防护:** 在处理和使用过程中,采取适当的静电防护措施,以防止静电损坏。

5. **阈值电压注意:** 了解并考虑阈值电压,确保在实际应用中得到合适的电压偏置。

在任何应用中,都应仔细阅读产品手册和规格书,以确保正确的使用和操作。
【UT70P03L-TN3-R-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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