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【AM2323P-T1-PF-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

资料介绍
型号: AM2323P-T1-PF-VB
丝印: VB2290
品牌: VBsemi
参数: SOT23;P—Channel沟道, -20V;-4A;RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.81V;
封装: SOT23

**详细参数说明:**
- **型号**: AM2323P-T1-PF-VB
- **丝印**: VB2290
- **品牌**: VBsemi
- **参数**:
- 封装: SOT23
- 沟道类型: P-Channel
- 额定电压: -20V
- 额定电流: -4A
- 开态电阻 (RDS(ON)): 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 门源极阈值电压 (Vth): -0.81V

**应用简介:**
AM2323P-T1-PF-VB是一款性能卓越的P沟道MOSFET,适用于多种电子应用,特别在以下领域模块中具有优越性能:

1. **电源开关模块:**
由于其P沟道特性,适用于电源开关模块,可实现可靠的电源开关控制。

2. **电池管理系统:**
适用于电池管理系统,能够提供可靠的电池充放电控制,延长电池寿命。

3. **负载开关:**
用于负载开关,提供高效的电流控制和电源管理。

4. **低功耗设备:**
由于其低阈值电压和低功耗特性,适用于低功耗设备,如便携式电子产品。

请注意,上述应用建议仅为参考,具体应用需根据项目需求和设计要求进行调整。
【AM2323P-T1-PF-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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