资料介绍
型号：AO6800-VB
丝印：VB3222
品牌：VBsemi
参数：
- 封装类型：SOT23-6
- 沟道类型：N—Channel（两个沟道）
- 最大漏电压（Vds）：20V
- 最大漏极电流（Id）：4.8A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：22mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压（Vth）：1.2~2.2V
封装：SOT23-6
应用简介：
AO6800-VB是一款双N-Channel沟道MOSFET，适用于多种电路和模块设计，特别是在需要高性能N-Channel MOSFET的应用中。
领域模块应用：
1. **电源模块：** 适用于开关电源、电源逆变器等模块设计，能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **电机驱动模块：** 由于其高电流和低漏电压特性，可用于电机驱动和控制模块，提供可靠的电流输出和驱动性能。
3. **LED照明模块：** 在LED驱动电路中，AO6800-VB可以用于开关电源设计，以实现高效的LED照明系统。
4. **电池保护模块：** 用于电池充放电管理电路，提供高效的电池管理和保护功能。
5. **低功耗设备：** 由于其低阈值电压和低漏电流特性，适用于对功耗要求较高的设备，如便携式电子设备、传感器节点等。
请注意，以上是一些典型的应用场景，实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成AO6800-VB时，建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。
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