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高频头 LNB FET FT 90G
上传用户:
wuxizhicw
上传日期:2023-08-01
文件类型:PDF
文件大小:337.54K
资料积分:0分
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资料介绍
采用Li-On的GaAs pHEMT工艺制备了LNA FET。FET形成通过欧姆、栅极、M2金属和空气桥将源极连接到焊盘。没有
钝化电介质或聚合物。FET呈现低态
电阻、低电容和低噪声系数。
标签:
高频头
,
90G
高频头 LNB FET FT 90G
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