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M1 1200 V SiC MOSFET特性及驱动建议

资料介绍
本白皮书介绍安森美(onsemi)的M1 1200 V SiC MOSFET的关键静态特性和动态特性，及在应用设计中如何配合使用其独特的SiC门极驱动器NCP51705，以最少的外部器件实现极高的能效和可靠性。
标签：onsemi，安森美，，能源基础设施，MOSFET，SiC，门极驱动器，NCP51705
M1 1200 V SiC MOSFET特性及驱动建议
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