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用户手册：安森美的1200 V SiC MOSFET评估板用于能源基础设施提供高能效、高功率密度和出色的散热

资料介绍
该评估板含4颗1200 V SiC MOSFET，4颗大电流电隔离门极驱动器，1个隔离型DC-DC电压源，采用绝缘金属基板 (IMS) PCB，全桥拓扑。此用户手册概述评估板框图、主板外形尺寸、电源连接、热阻测试、应用测试、原理图、布板和物料单(BOM)。
标签：onsemi，安森美，能源基础设施，SiC，MOSFET评估板
用户手册：安森美的1200 V SiC MOSFET评估板用于能源基础设施提供高能效、高功率密度和出色的散热
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