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碳化硅（SiC）MOS

资料介绍
SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点
标签：新能源，光伏逆变器，车载OBC，动力电池化成分容
碳化硅（SiC）MOS
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