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微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术

资料介绍
摘　要:讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在有偏置和无偏置条件下的γ电离总剂量效应,试验结果表明偏置条件对FPGA芯片电离总剂量效应有较大影响,在有偏置下FPGA芯片A1280XL失效阈最小,为12.16 Gy（Si）;无偏置时FPGA失效阈最大,为33.2 Gy（Si）.对芯片内部结构进行了辐射效应分析,并提出一些加固方法提高器件的抗总剂量能力,如电路设计中采用冗余技术来实现对故障的检测和隔离,以及选取适当的屏蔽材料对器件进行屏蔽.[著者文摘]
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微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术
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