FWD也存在两方面的损耗，因为：
1）在正向导通（即续流）时有正向导通电压：Vf2）在反向恢复的过程中有反向恢复能耗：Erec。
Vf造成导通损耗，Erec造成开关损耗。导通损耗 + 开关损耗= FWD总损耗。
Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec体现了IGBT/FWD芯片的技术特征。因此IGBT/FWD芯片技术不同，Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec也不同。
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