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模拟IC/电源
> 氮化镓MOSFET介绍
氮化镓MOSFET介绍
上传用户:
windowsww
上传日期:2014-10-23
文件类型:PDF
文件大小:1200.09K
资料积分:3分
积分不够怎么办?
资料介绍
氮化镓MOSFET 高频高效率硅材料MOSFET/ Cool Mos 氮化镓材料MOSFET -HEMT
氮化镓无体内二极管
但有二极管特性
MOSFET发热源: 氮化镓MOS发热源:
1,Rds(on)损耗, 1,Rds(on)损耗
2, 开关损耗, 几乎没有开关损耗和反向续流二极
管损耗.因体内没有二极管,但有二极
97 m
3,体内二极管反向续流损耗, 管的特性
4,死区损耗. 超低的结电容保证较小的死区损耗.
75 .co
7
硅 VS 氮化镓
17 q
标签:
氮化镓
,
超低损耗MOSFET
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