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基于FPGA的F-RAM防掉电设计

资料介绍
在复杂实验条件下，需采用非易失性铁电存储器记录重要数据。为防止二次上电时实验数据被覆盖，需设计防掉电功能。文中介绍了一种F-RAM的防棹电设计思路，并基于现场可编程门阵列实现，板级验证工作正常，并已在相关项目中得到应用且达到了预期功能。
标签：非易失性，铁电存储器
基于FPGA的F-RAM防掉电设计
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