资料介绍
2001微电子技术-复合电压芯片的ESD保护技术第 29 卷第 6 期 Vol . 29 ,No. 6
微电子技术
MICROEL ECTRONIC TECHNOLO GY
总第 142 期 2001 年 12 月
封装与可靠性
复合电压芯片的 ESD 保护技术
王 浩 , 卢晓东
( 智芯科技 ( 上海) 有限公司 , 上海 200233)
摘 要: 本文介绍了复合电压芯片的 ESD 问题和解决方法 , 针对不同的复合电压 , 重点介绍 了输入 、输出 、工艺上的不同 ESD 技术 。 关键词 : 复合电压 ; 泄漏电流 ; 核心电压 中图分类号 : TN433 文献标识码 : A 文章编号 : 100820147 ( 2001) 06239205
ESD Protecting Technology of Mixed2voltage Chip
WANG Hao , LU Xiao - dong
( Zhixin Sciences & Tcehnology ( Shanghai ) Co. Ltd , Shanghai 200233 , China )
Abstract : ESD protect theory and methods of mixed2voltage chip are introduced in paper , with the focus on the input , output , design and process. Keywords : Mixed2voltage ; Leakage current ; Core voltage
1 前言
在芯片设计中 , 我们通常注意 I/ O 的 ESD 保 护 , 但是仅局限于对同种电压芯片的保护 。如果芯 片的 I/ O 电压和芯片内部的核心电压不同 , 那么这 种芯片 I/ O 的 ESD 保护更有其