资料介绍
插损分析
基本概念:
1.1插入损耗:包括理论损耗与附加损耗;理论损耗是耦合器每一路输出与输入能量比而
决定的,当确定了耦合器的耦合度后,其值是确定的;附加损耗包括由于端口回波损耗
造成的传输损耗及介质损耗、导体损耗、接头损耗等,它跟选择的材料是相关的。
1.2耦合带内波动:表征在工作频段内,耦合度在其平均值上下波动的范围,代表不同频
点能量传输相对于平均水平的差异。
2、理论分析:
2.1理论损耗:耦合器:
耦合器的理论损耗是根据耦合能量的大小来计算的,即由耦合度的大小来确定的,其理
论分析如下:
我们知道,耦合器的传输原理如下图所示:
[pic]
P1口为输入端,P2口为输出端,P3口为耦合端,P4口接的是50Ω负载为隔离端。根据
计算公式,
耦合度C=10log[pic] (式1),
理论损耗IL=10log[pic] (式2)
根据能量守衡定理知:P2=P1-
P3,则理论损耗也可表示为:IL=10log[pic]=10log(1-[pic]) (式3),
5db理论损耗为计算如下:
利用公式1,-5=10log[pic]
[pic]=0.316 ,带入公式3,可得理论损耗IL=-1.65 dB。
2.2附加损耗:
2.2.1传输损耗:
传输损耗是由于端口的回波损耗而造成的能量反射而引起的,由于任何一个器件的
端口驻波比不可能做到1∶1,所以传输损耗总是存在的。当各端口驻波比为1.2∶1时,能
量传输为99.2%,则有0.8%的能量被反射,造成的传输损耗:L=10lg(99.2%)=-
0.035dB,两个端口由于能量反射造成的传输损耗约为-0.07dB。
2.2.2导体损耗:
导体损耗是由于功率能量