CPCOL_2006JAN06_RFA_POM_AN_04

CPCOL_2006JAN06_RFA_POM_AN_04无线手机使用的集成式 RF 功放器/滤波器前端
Joe Madden 移动/无线市场分析家，Avago Technologies CMOS 设计人员多年来一直把各种功能集成到大型集成电路中。大家已经看到，摩尔定律在日常生活中给性 能和成本带来了难以置信的影响。在移动通信终端中，许多元器件要么已经集成到 RFIC 中，要么因直接数 字上/下变频器的出现而消失。 在通信终端中，到目前一直有两个 RF 元器件没有集成，即滤波器和 RF 功放器，这两种器件采用的构建技 术都不兼容芯片上 CMOS 集成。在传统上，滤波器一直采用陶瓷或表面声波(SAW)技术构建，而 RF 功放器则 一直使用 GaAs 异质结双极晶体管(HBT)或 FET 器件构建。由于这些技术与 RFIC 使用的硅或 SiGe 工艺有着 很大区别，因此功放器和滤波器一直作为分散器件，与现在执行手机大部分 RF 功能的大规模集成芯片组分 开。声音谐振器技术和先进的低噪声高线性度晶体管技术已经明显缩小了每种分散功能的体积。图 1 是当 前 CDMA PCS 手机设计中使用的单独的薄膜腔声谐振器(FBAR)滤波器和增强模式伪形态高电子迁移率晶体管 (E-pHEMT)功放器。 但是，当前的单片电路滤波器和放大器技术允许设计人员突破 RF 集成障碍，重要的技术进步包括： 表面声波(SAW)滤波器 FBAR 滤波器 异质结双极晶体管(HBTs) E-pHEMT 由于每种技术都把某种 RF 功能精简到单片电路设备上，因此可能需要重要举措来提高集成度。以前的技术 如陶瓷滤波器需要采用非单片电路结构，单片电路放大器集成起来很不方便。 最近，多家公司已经开始采用多种芯片技术和多板上多芯片(MCOB)封装开发 RF 模块。这种方法通过采用优 化的半导体工艺，可以实现最佳的滤波器和功放器性能。GaAs HBT 或 E-pHEMT 放大器可以