【应用指南】用带纳米探针的Agilent B1500A进行失效分析

Agilent B1500A半导体器件分析仪
目前，利用扫描探针显微镜(SPM) 技术的纳米探测已能使用压电致动器达到纳米级 (9-10 nm)的探测水平。这篇应用指南将为您介绍一种新的失效分析技术，这项技术使用一种流行纳米探针，来自日立高科技公司制作的N-6000精细结构器件表征系统，以及Agilent B1500A半导体器件分析仪。N-6000 可以直接接触集成电路内的器件，从而有助于弥补物理和电气失效分析技术之间的差异。

用带纳米探针的 Agilent B1500A
进行失效分析
应用指南 B1500-7




Agilent B1500A 半导体器件分析仪

引言
目前，能探测极窄线宽的纳米探
针技术取得了许多进展，从而能表征
集成电路内单个器件的电气特性。这
篇应用指南介绍如何用Agilent B1500A
半导体器件分析仪进行这类测量，我
们通过SRAM 失效分析说明这项技术。

常规存储器失效分析是用逻辑测
试仪探测有失效的比特位，然后用扫
描电子显微镜 (SEM) 和透射电子显微
镜 (TEM) 进行实际观察和判断造成失
效的成因。

但 SEM 和 TEM 都属破坏性的测
试，您只能在若干可能失效位置中观
看其中一个点。这就大大限制了用户
定位失效具体成因的能力。此外，对
于非常小的残留物或异常掺杂密度造
成的电性失效，也难以采用传统的物
理观察技术来发现，因此需要增加一
些其它类型的电气测试。
常规器件电气测试方案需要把器 上芯片间的切割道中。显然，这种方
件放在带探针测试点的TEG (测试元件 法不能在实际芯片内的失效位置上进
组) 中，而这一 TEG 则通常放在晶圆片 行电气表征。
 目前，利用扫描探针显微镜
(SPM) 技术的纳米探测已能使用压电
致动器达到纳米级 (9-1