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C波段微波限幅二极管第 36 卷 第 5 期 1999 年 10 月
半导体情报
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C 波段微波限幅二极管
安振峰 王晓燕
( 电子十三所, 石家庄 050051)
摘要 设计了一种新的限幅二极管微带封装形式, 可使器件良好地工作于 C 波段。 关键词 限幅 衰减 C 波段 限幅器 中图分类号: TN 312+ 14 TN 305194 文献标识码: A 文章编号: 100125507 ( 1999) 5243203
C - Band M icrowave L i m iter D iode
A n Zhenfeng, W ang X iaoyan
( T he 13 th Institu te ( E lectron ics) , S h ij iaz huang 050051)
Abstract A new p ackage sty le fo r li m iter d iode w a s designed, T he li m iter d iode can 2 w o rk in C band. Keywords L i m ita t ion A t tenua t ion C 2band L i m iter
1 引 言
在雷达等微波发射接收系统中, 为防止发 射机的功率直接泄露到接收机而烧毁, 接收机 前加上限幅器, 使限幅器的门限电平小于接收 机能承受的烧毁功率, 这样便保护了接收系统。 根据限幅的工作原理, 限幅管常采用并联使用, 为便于安装, 常采用同轴封装形势的限幅管。 但 由于分布参数的影响, 这种限幅器只能工作于 几百兆以下的频段内, 在较高频率下 ( 1GH z 以 上) , 均采用微波集成限幅模块[ 1 ]。但是, 在某 些特殊情况下, 必须使用封装的分立器件来制 作限幅器。 因此, 在较高频率下, 研制分立封 装的限幅二极
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