资料介绍
高通平台充电方案
Qualcomm平台充电总结
1．锂离子电池充放电特性
1.1.
锂离子电池充电电压的上限必须受控制，一般不超过4.2V。(视具体情况，一般控制在4
.10V－ 4.35V不等）
1.2.单体电池充电电流通常限制在1C以下。
1.3.单体电池放电电流通常控制在3C以下。
1.4.单体电池放电电压通常不能低于2.2V。
[pic]
电池电量与电压对照曲线
2．充电通路晶体管的控制和功率限制
外部通路晶体管的控制驱动器包含在了PM
IC中；这个驱动的输出可以内部晶体管应用，也可以通过CHG-CTL-
N脚供外部应用。如果需要的话，一般操作时PM
IC使用通路晶体管的闭环控制来校准VDD电压，快速充电（恒流充电）时的检测电流（I
DET），或者充电最后状态的电池电压。通路晶体管的阻抗也被增加以用来过流保护。
控制通路晶体管同样允许用来过热保护：PM
IC通过电压和电流的测量来监控通路晶体管中消耗的功率。如果计算出的功率超过设计
限制，CHG-CTL-N控制信号就会减小通路晶体管的通路电流。
2.1.通路晶体管的功率消耗限制是可编程的：
1. 晶体管的消耗功率是使用VCHG（或USB-VBUS）和ISNS-
P脚上的电压测量以及基于敏感电阻两端（ISNS-P和ISNS-
M脚）电压的电流测量来计算的。
2.
可编程的管耗限制（单位为瓦特）为0.4，0.5，0.6，0.75，1.0，1.5，2.0和“
无限制”。这些可编程限制采取一个0.100ohm的敏感电阻。
2.2设计者需要考虑以下几点来帮助减少通路晶体管的功率消耗：
1.
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