《模拟电子技术基础》第1章01

1. 了解PN结的形成原理，掌握PN结、二极管的特性（单向导电、电流方程、特性曲线、温度特性、电容特性、击穿特性等）以及直流电阻与交流电阻的概念，稳压管的稳压原理。
2. 掌握BJT的结构、工作原理、各极电流关系、四种工作状态、三种组态、CE接法的特性曲线及主要参数。特别注意基区宽度调制效应及温度特性；会判断BJT工作在哪个区。
3. 掌握MOS管的结构、特点、工作原理、特性曲线。注意：
（1）N沟道、P沟道，增强型、耗尽型MOS管的特性曲线不同，偏压极性也不同(习题1.5.1 )。
（2）沟道长度调制效应和衬底调制效应的影响。
（3）饱和区电流表达式。
4. 了解JFET的结构、工作原理、特性曲线。 注意JFET是耗尽型器件，但栅压为单极性。
5. 了解集成元器件的主要特点。
6. 了解模型的基本概念及BJT的EM1、EM2 模型的形式、电流方程。


《模拟电子技术基础》
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绪 论
一、课程概述
1. 课程的任务
2. 课程的内容
3. 课程的作用
二、教材与参考书
1. 教材
(《电子线路基础》高文焕 刘润生 高教出版社 1997
(《模拟电路的计算机分析与设计-spice程序应用》高文焕 汪 蕙 清华出版社 1999
2. 参考书
(《电子线路》线性部分(第四版) 谢嘉奎 高教出版社 1999
(《模拟电子技术基础》(第三版) 童诗白 高教出版社 2001.1
(《电子电路分析与设计》(第2版) Donald A.Neamen 清华出版社(英文影印本)
三、模拟电路课程的几个问题
四、怎样学好这门课
五、成绩考核与评价问题
六、教学中的几项规定
七、变量符号规定


第1章半导体器件基础
1.1半导体中的载流子及其运动
1.1.1 本征半导体中的载流子
1. 晶体共价键结合






2. 征半导体中的两种载流子－电子与空穴
（1）无激发下的本征半导体
（2）本征激发产生电子与空穴
（3）本征浓度
ni = pi = A0 T3/2 e-Eg0 / 2KT (1.1.3)

1.1.2杂质半导体中的载流子
1. N型半导体
( N型半导体的形成
(施主杂质
( 带电粒子
(“多子、少子”