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电容的具体模型和分布参数

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基础知识

电容的具体模型和分布参数
发布日期:2008-7-28 16:05:47 文章来源:搜电 浏览次数: [pic]279
[pic][pic][pic]电容的具体模型和分布参数

    
要正确合理的应用电容,自然需要认识电容的具体模型以及模型中各个分布参数的具体
意义和作用。和其他的元器件一样,实际中的电容与"理想"电容器不同,"实际"电容器
由于其封装、材料等方面的影响,其就具备有电感、电阻的一个附加特性,必须用附加
的"寄生"元件或"非理想 "性能来表征,其表现形式为电阻元件和电感元件,非线性和介
电存储性能。"实际"电容 器模型如下图所示。由于这些寄生元件决定的电容器的特性,
通常在电容器生产厂家的产品说明中都有详细说明。在每项应用中了解这些寄生作用,
将有助于你选择合适类型的电容器。
 
    从上面的图我们可以看出,电容实际上应该由六个部分组成。除了自己的电容C外,
还有以下部分组成:
    1、等效串联电阻ESR RESR :电容器的等效串联电阻是由电容器的引脚电阻与电容
器两个极板的等效电阻相串联构成的。当有大的交流电流通过电容器,RESR 使电容器消
耗能量(从而产生损耗)。这对射频电路和载有高波纹电流的电源去耦电容器会造成严重
后果。但对精密高阻抗、小信号模拟电路不会有很大的影响 。RESR 最低的电容器是云
母电容器和薄膜电容器。
    2、等效串联电感ESL,LESL :电容器的等效串联电感是由电容器的引脚电感与电容
器两个极板的等效电感串联构成的。像RESR 一样,LESL 在射频或高频工作环境下也会
出现严重问题,虽然精密电路本身在直流或低频条件下正常工作。其原因是用于精密模
拟电路中的晶体管在过渡频率(transition frequencies)扩展到几百兆赫或几吉赫的情
况下,仍具有
电容的具体模型和分布参数
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