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ASC80N3300MT4碳化硅MOS电压3300V导通电阻40mΩ

资料介绍
ASC80N3300MT4碳化硅MOS电压3300V导通电阻40mΩ,承受更高的击穿电压,有更低的电阻率,工作温度更高。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择。牵引功率单元(TPU)、辅助动力装置(APU)、固态变压器(SST)、工业电机驱动和能源基础设施解决方案的系统设计人员需要借助高压开关技术来提高效率和可靠性,并减小系统尺寸和重量。
ASC80N3300MT4碳化硅MOS电压3300V导通电阻40mΩ
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