资料介绍
本文基于安森美（onsemi）的解决方案，针对800V高压中间母线转换器（HV IBC）在AI电源系统中的应用需求，分析了基于LLC拓扑的多种实现方案，并对GaN HEMT、SiC MOSFET及SiC Cascode JFET三类宽禁带器件进行了系统性对比。研究重点涵盖导通损耗、输出电容特性（COSS）、栅极驱动损耗及高频运行能力等关键参数，并评估其对整体转换器效率和功率密度的影响。
通过仿真与系统级分析，本文进一步比较了堆叠式LLC、单相LLC及三相LLC三种拓扑结构在不同功率等级下的表现，包括损耗分布、RMS电流及BOM复杂度。结果表明，不同器件技术在开关损耗与导通损耗之间存在权衡，而拓扑选择对系统性能同样具有重要影响。研究为基于安森美器件的高频、高功率密度IBC设计中器件选型与架构优化提供了指导。
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