IGBT和IPM及其应用电路

【作　　者】周志敏 周纪海 纪爱华 [同作者作品]
【丛 书 名】 现代电力电子应用技术丛书
【出 版 社】 人民邮电出版社 【书 号】 7115143544
【上架时间】 2006-4-7
【出版日期】 2006 年3月 【开 本】 16开 【页 码】 331 【版 次】1-1
【内容简介】
本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出实用性。全书共7章，分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域中的应用。.

本书题材新颖实用，内容丰富，文字通俗，具有很高的实用价值，可供电信、信息、航天、军事及家电等领域从事电源开发、设计和应用的工程技术人员和高等院校相关专业师生阅读参考。...

【目录信息】

第1章　概述.　1
1.1　功率半导体技术的发展　1
1.1.1　电力电子器件的发展　1
1.1.2　IGBT的发展历程和基本特点　4
1.1.3　新技术动向 　8
1.2　IGBT模块化　9
1.2.1　IGBT功率模块　9
1.2.2　新一代的IPM　12
1.3　IGBT研发的新进展　13
1.3.1　IGBT的研制　14
1.3.2　IGBT模块的最新发展　17
第2章　IGBT的结构、工作特性和主要参数　20
2.1　IGBT的结构和工作特性　20
2.1.1　IGBT的结构与工作原理　20
2.1.2　IGBT的基本特性　27
2.1.3　带反向阻断能力的IGBT的特性　33
2.1.4　IGBT的锁定效应和安全工作区　35
2.2　IGBT的等效电路模型及主要参数　36
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【前言】
电力电子半导体器件在现代电力电子技术中占据着重要的地位，它正向高频化、大功率化、智能化和模块化方向发展，其中模块化应用领域的研发更为广泛和深入。从模块原理引入电力电子技术领域以来，已开发和生产出多种内部电路相连接形式的电力半导体模块，诸如双向晶闸管、MOSFET以及IGBT等模块，使得模块技术得以更快的发展。.
20世纪80年代，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶闸管)器件研发成功。IGBT器件为电压驱动型，是MOS结构双极半导体器件，具有驱动功率小、开关速度高、饱和压降低以及可耐高电压、大电流等一系列应用上的优点，并可用集成电路来实现驱动和控制，进而发展到把IG.. 查看前言